N-mosfet
Die 10 besten Produkte von Juni 2025
Letzte Aktualisierung:
12. Juni 2025
Innfeeltech
Innfeeltech 10 Stück MOSFET-Transistoren IRFZ44N 49A 55V Feldeffektröhren N-Kanal To-220 Leistungs-MOSFET Feldeffekttransistor Gleichrichter
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MAXIMALE QUALITÄT
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#1 GEWINNER
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Packung enthält: 10 Stück IRFZ44N MOSFET-Transistoren
Vorschriften: Drain-Strom Id 49A, Drain-Source-Spannung Vds 55V
Betriebstemperatur:-55 °C bis +175 °C
Transistor-Polarität: N-Kanal-Transistor. Gekapseltes To-220AB-Gehäuse
Anwendung: Für Schalt- und Signalverstärkungsanwendungen mit hoher Leistung in elektronischen Geräten.
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HUAREW
HUAREW 10 Stück IRFZ44N N Kanal Gleichrichter leistung MOSFET Transistor 49A 55V
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BESTE QUALITÄT
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#2
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HUAREW IRFZ44N MOSFET Transistor
Verpackung: 10 Stück
Typ: N-Kanal
Ablassstrom ID: 49A
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
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VGOL
VGOL 50 Stück AO3400 A09T 5,7 A 30 V N-Kanal P-Kanal Anreicherungsmodus Feldeffekttransistor Kompatibel mit MOSFET SMD Transistor AO3400 SOT-23
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#3
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Anwendung : Wird typischerweise in Hochfrequenzanwendungen wie HF-Verstärkung, Signalverarbeitung und Energiemanagementanwendungen eingesetzt.
Verpackung : Gesichert in einem antistatischen Beutel, der elektrostatischen Schutz, ESD-Sicherheit und eine längere Haltbarkeit bietet.
Spezifikation : N-Kanal-Transistor. Spannung : 30 V und Strom : 5,7 A, Mindesttemperatur -55 °C, Höchsttemperatur 150 °C ± 30 °C.
HINWEIS : Wenn das Gerät über längere Zeiträume den absoluten Höchstwerten ausgesetzt wird, kann dies die Zuverlässigkeit beeinträchtigen.
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DollaTek
DollaTek 6Pcs IRFP260N N-Kanal MOSFET Transistor 50A 200V TO-247AC
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HOHE QUALITÄT
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#4
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HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier verwenden.
Fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen.
Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, bietet HEXFET Power,175 °C Betriebstemperatur.
MOSFETs sind bekannt dafür, dass sie dem Designer ein äußerst effizientes und zuverlässiges Bauelement für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen bieten.
Das TO-247 ist dem früheren TO-218-Gehäuse aufgrund seines isolierten Montagelochs ähnlich, aber überlegen.
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Fumanduo
Fumanduo 20 Stück IRFZ44N N Kanal Gleichrichter Mosfet Transistor Leistungstransistor Sortiment N Kanal 3-polige Transistor Audio Transistor Darlington Transistor Power Mosfet 49A 55V für Industrie
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#5
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Schnelles Schalten: Der Leistungs Mosfet Transistor ist ein festes Halbleiterbauelement. Im Gegensatz zu herkömmlichen mechanischen Schaltern verwenden MOSFET-Transistoren Spannung, um das Öffnen und Schließen zu steuern, sodass die Schaltgeschwindigkeit sehr hoch sein kann.
Erweiterte Prozesstechnologie: Der Spannungsregler Transistor ist eine präzise elektronische Komponente und bietet die Vorteile eines hohen Eingangswiderstands, eines geringen Rauschens, eines geringen Stromverbrauchs, eines großen Dynamikbereichs, einer einfachen Integration, ohne sekundären Durchschlag und eines großen sicheren Arbeitsbereichs.
Durable Material: Der N Kanal Gleichrichter besteht aus Metalloxid Halbleitermaterial, ist bleifrei, hat eine gute thermische Stabilität bei einer Betriebstemperatur von 175 °C und eine lange Lebensdauer.
Multifunktionaler Transistor: Darlington Transistor Power Mosfet mit mehreren Funktionen wie Erkennung, Gleichrichtung, Verstärkung, Schaltung, Spannungsstabilisierung und Signalmodulation, die häufig in großen und sehr großen integrierten Schaltkreisen verwendet werden.
Was Sie bekommen: Kommt mit 20 Stück 3-polige N Kanal Leistungstransistor Sortiment, einfach zu ersetzen, wirtschaftlich und praktisch, kann für eine lange Zeit verwendet werden.
7,99 € AUF AMAZON
PENGLIN
PENGLIN 10 Stück IRF840PBF IRF840 840 N-Kanal MOSFET Transistor 8 A, 500 V, 0.85 Ohm TO-220AB IRF840 Transistoren
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#6
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Modell: IRF840;Kontinuierlicher Drain-Strom Id:8A;Drain-Quellenspannung Vds:500V; Transistor-Polarität: N-Kanal.
Langlebiges Material: Der Transistor besteht aus Metalloxid-Halbleitermaterial, das eine gute thermische Stabilität und eine lange Lebensdauer aufweist.
Fortschrittliche Prozesstechnologie: Der Transistor ist eine Art elektronisches Präzisionsbauteil mit hohem Eingangswiderstand, geringem Rauschen, niedrigem Stromverbrauch und großem Dynamikbereich.
Anwendung: Er ist ein häufig verwendetes Leistungshalbleiterbauelement in elektronischen Schaltungen, das als elektronischer Schalter, steuerbarer Gleichrichter usw. eingesetzt werden kann.
Multifunktional: N-Kanal-Gleichrichter mit mehreren Funktionen wie Erkennung, Gleichrichtung, Verstärkung, Schalten, Spannungsstabilisierung und Signalmodulation, die in großen und sehr großen integrierten Schaltungen weit verbreitet sind.
6,49 € AUF AMAZON
BOJACK
BOJACK IRLZ34N MOSFET 30 A 55 V IRLZ34NPBF N-Kanal Feld effekt transistoren TO-220AB (Packung mit 10 Stück)
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#7
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Transistoren typ: MOSFET Transistoren
Transistoren polarität: N-Kanal
Drainstrom (Id Max): 30 A
Spannung Vds Max: 55 V
Leistung (max.): 68 W
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Be In Your Mind
Be In Your Mind 10 Stück MOSFET-Transistoren IRF3708 MOSFET-Transistoren N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Transistor TO220 30 V 62 A für Elektronische Anwendungen
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75
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#8
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IRF3708-MOSFET-Transistoren : Enthält 10 leistungsstarke IRF3708-N-Kanal-MOSFET-Transistoren, geeignet für verschiedene Anwendungen mit elektronischen Komponenten.
N-Kanal-Design : Verfügt über eine N-Kanal-Polarität mit TO-220-Gehäuse und einem 2,54-mm-Pin-Abstand für die einfache Integration in elektronische Schaltkreise.
Hohe Spannungs- und Stromhandhabung : Maximale Drain-Source-Spannung von 30 V, Gate-Source-Spannung von ±12 V und kontinuierlicher Drain-Strom von bis zu 62 A, wodurch es ideal für Hochstromanwendungen ist.
Niedriger Einschaltwiderstand : Mit einem Einschaltwiderstand von nur 12 m? gewährleistet dieser Transistor minimalen Leistungsverlust und effizienten Betrieb.
Großer Betriebstemperaturbereich : Kann unter extremen Bedingungen mit einem Arbeitstemperaturbereich von -55 °C bis 175 °C betrieben werden und bietet Zuverlässigkeit in unterschiedlichsten Umgebungen.
12,09 € AUF AMAZON
BOJACK
BOJACK IRF540 MOSFET Transistoren IRF540N 33 A 100 V N-Kanal Leistungs MOSFET TO-220AB (Packung mit 10 Stück)
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#9
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Transistortyp: MOSFET
Transistorpolarität: N-Kanal
Ablassstrom (Id Max): 33 A
Spannung Vds Max: 100 V
Leistung (max.): 120W
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BOJACK
BOJACK IRFP460 MOSFET Transistoren IRFP460N 20 A 500 V N-Kanal Leistungs MOSFET IRFP460NPBF TO-247 (Packung mit 5 Stück)
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#10
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Transistortyp: MOSFET
Transistorpolarität: N-Kanal
Ablassstrom (Id Max): 20A
Spannung Vds Max: 500V
Leistung (max.): 250W
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