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Mosfet N Chanel

Die 10 besten Produkte von Januar 2026
Letzte Aktualisierung: 6. Januar 2026
POPESQ
POPESQ
POPESQ® 1 Stk. x NCE6075K Transistor Mosfet 60A 60V N-chanel #A5954
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98

MAXIMALE QUALITÄT

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#1 GEWINNER

  • Mosfet N-chanel / Mosfet N-chanel
  • Strom 60A 60V / Current 60A 60V
  • Gate Spannung: max. 25V / Gate Spannung: max. 25V
  • Leistung 110W / Power 110W
  • Gehäuse TO252 / Enclosure TO252
  • 7,74 € AUF AMAZON
POPESQ
POPESQ
POPESQ® 3 Stk. x NCE6075K Transistor Mosfet 60A 60V N-chanel #A5955
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97

BESTE QUALITÄT

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#2

  • Mosfet N-chanel / Mosfet N-chanel
  • Strom 60A 60V / Current 60A 60V
  • Gate Spannung: max. 25V / Gate Spannung: max. 25V
  • Leistung 110W / Power 110W
  • Gehäuse TO252 / Enclosure TO252
  • 11,72 € AUF AMAZON
DollaTek
DollaTek
DollaTek 6Pcs IRFP260N N-Kanal MOSFET Transistor 50A 200V TO-247AC
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94

TOP QUALITÄT

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#3

  • HEXFETs der fünften Generation von International Rectifier verwenden.
  • Fortschrittliche Verarbeitungstechniken, um einen extrem niedrigen Widerstand pro Siliziumfläche zu erreichen.
  • Dieser Vorteil, kombiniert mit der schnellen Schaltgeschwindigkeit und dem robusten Gerätedesign, bietet HEXFET Power,175 °C Betriebstemperatur.
  • MOSFETs sind bekannt dafür, dass sie dem Designer ein äußerst effizientes und zuverlässiges Bauelement für den Einsatz in einer Vielzahl von Anwendungen bieten.
  • Das TO-247 ist dem früheren TO-218-Gehäuse aufgrund seines isolierten Montagelochs ähnlich, aber überlegen.
  • 6,99 € AUF AMAZON
YINETTECH
YINETTECH
YINETTECH 10 STÜCKE IRLZ44N Logic Level MOSFET Transistoren 47A 55V N-Kanal MOSFET Transistoren 29x10x4,5mm Verwendet Werden Elektronische Schalter Steuerbare Gleichrichter
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88

HOHE QUALITÄT

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#4

  • Modell : IRLZ44N; Dauerhafter Drainstrom Id : 47 A; Drain-Source-Spannung Vds : 55 V. Transistorpolarität : N-Kanal.
  • Größe : 29 x 10 x 4,5 mm. Gehäusetyp : TO-220. Anzahl der Pins : 3
  • Langlebiges Material : Der Transistor besteht aus Metalloxid-Halbleitermaterial, das eine gute thermische Stabilität und lange Lebensdauer aufweist.
  • Fortschrittliche Prozesstechnologie : Ein Transistor ist eine Art präzise elektronische Komponente mit hohem Eingangswiderstand, geringem Rauschen, geringem Stromverbrauch und großem Dynamikbereich.
  • Anwendung : Es handelt sich um ein häufig verwendetes Leistungshalbleiterbauelement in elektronischen Schaltkreisen, das als elektronischer Schalter, steuerbarer Gleichrichter usw. verwendet werden kann. N-Kanal-Gleichrichter mit mehreren Funktionen wie Erkennung, Gleichrichtung, Verstärkung, Schalten, Spannungsstabilisierung und Signalmodulation, der häufig in groß- und sehr großintegrierten Schaltkreisen verwendet wird.
  • 12,09 € AUF AMAZON
ARCELI
ARCELI
ARCELI 3D Drucker Heizbett Leistungsmodul Hochstrom 210A MOSFET Upgrade RAMPS 1.4
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82

SICHERE QUALITÄT

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#5

  • Heizbett-Leistungsmodul Basierend auf leistungsfähigem MOSFET HA210NO6
  • Größe: 60 * 50mm; Befestigungslöcher: 3,2 mm Durchmesser, für M3 Schrauben; Abstand zwischen den Löchern: 54 * 43mm
  • Spannung: 12V-24V Maximaler Strom bei aktiver Kühlung: 210A
  • Sehr leistungsfähiger MOSFET, um höheren Strom zu widerstehen, als normale RAMPS oder andere 3D-Drucker-Controller bewältigen können
  • Dieses Modul basiert auf einem Leistungs-MOSFET und ermöglicht die PID-Regelung des beheizten Bettes (DC-DC-Relais erlauben dies normalerweise nicht)
  • 5,99 € AUF AMAZON
The Lord of the Tools
The Lord of the Tools
The Lord of the Tools 20 Stück IRLZ34N MOSFET Transistoren N-Kanal ESD-bewertet TO-220 30A 55V 3-polige Internationale Gleichrichterleistung für Elektronischer Schalter Controllable Rectifier
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81

GUTE QUALITÄT

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#6

  • Modell : IRLZ34N; Kontinuierlicher Drain-Strom Id : 30A; Drain-Source-Spannung Vds : 55 V; Transistorpolarität : N-Kanal.
  • Langlebiges Material : Der Transistor besteht aus Metalloxid-Halbleitermaterial, das eine gute thermische Stabilität und eine lange Lebensdauer aufweist.
  • Fortschrittliche Prozesstechnologie : Transistor ist eine Art elektronisches Präzisionsbauteil mit hohem Eingangswiderstand, geringem Rauschen, geringem Stromverbrauch und einem großen Dynamikbereich.
  • Anwendung : Es ist ein häufig verwendetes Leistungshalbleitergerät in elektronischen Schaltungen, das als elektronische Schalter, steuerbare Gleichrichter usw. verwendet werden kann.
  • Multifunktion : N-Kanal-Gleichrichter mit mehreren Funktionen wie Erkennung, Gleichrichtung, Verstärkung, Schaltung, Spannungsstabilisierung und Signalmodulation, weit verbreitet in großen und sehr großen integrierten Schaltungen.
  • 12,99 € AUF AMAZON
CHANZON
CHANZON
Chanzon 10pcs 4N60 TO-220F Sic Mosfet MOS N-Kanal Transistor n-fet 4A
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78

GUTE QUALITÄT

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#7

  • Übersicht: TO220F MOS N-Kanal 4N60 N-Typ, Strom: 4 A, Spannung: 600V
  • Ersatz für: FQPF4N60C/4N60C Original nmos Mosfets Transistoren Bipolar Junction Triode
  • Für: Elektronisches DIY-Projekt
  • 9,99 € AUF AMAZON
CHANZON
CHANZON
Chanzon 10pcs 20N60 TO-220F Sic Mosfet MOS N-Kanal Transistor n-fet 20A
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75

GUTE QUALITÄT

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#8

  • Übersicht: TO220F MOS N-Kanal 20N60 N-Typ, Strom: 20 A, Spannung: 600V
  • Marke: CS20N60F Ersatz für: FQPF20N60C/CS20N60 Original nmos Mosfets Transistor Bipolar Junction Triode für 20N 60 20n60c
  • Für: Elektronisches DIY-Projekt
  • 13,99 € AUF AMAZON
Suptertex
Suptertex
Hochvolt N-Kanal MOSFET LND150 N3-G 500V Konstantstrom Quelle Röhren Verstärker
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75

GUTE QUALITÄT

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#9

  • Hochvolt n-Kanal-MOSFET LND150N3-G von SUPERTEX, geeignet für Hochvolt-Anwendungen in Röhrenverstärkern, z.B. zur Stabilisierung des Ruhestromes in Vorstufen, BVDSX: 500 Volt, ID_on: max. 30 mA, 3-Pin-Transistor im TO-92-Gehäuse
  • Supertex n-Kanal-MOSFET (Depletion / Verarmungstyp / selbstleitend) LND150 N3-G Dieser MOSFET-Transistor eignet sich hervoragend zur Strom-Stabilisierung, d.h. zur Realisierung von Konstantstromquellen.
  • Durch die hohe Drain-Source-Überschlagsspannung von mind. 500 Volt kann der LND150N3-G sehr gut in Röhrenvorstufen (Tube-Pre-Amp) zur Arbeitspunkt- / Ruhestromstabilisierung eingesetzt werden. Als Anwendung ist weiterhin die Ruhestrom-Stabilisierung bei Röhren-Eingangsstufen mit Differenzverstärker (Long-Tailed-Pair LTP) in Verbindung mit einer höheren negativen Hilfsspannung zu nennen.
  • Vorteilhaft beim Einsatz in Pre-Amps ist weiterhin der niedrige Drain-to-Source-Strom, welcher im Bereich von 1 bis 3 mA liegt. Es lassen sich daher sehr exakt arbeitende Konstantstromquellen aufbauen, die den Strom auch und insbesondere bei niedrigen Strömen konstant halten können. Zum Vergleich Konstantstromquellen mit dem verbreiteten LM317CZ benötigen eine Mindestlast von 3,5 bis 5 mA.
  • Wichtige Kenndaten Typ: LND150N3-G Hersteller. Supertex Inc. Transistorart: N-Kanal-MOSFET (Depeltion / Verarmungstyp / Selbstleitend) Drain-Source-Durchbruchspannung: min. 500 V Drain-Gleichstrom: max. 30 mA Drain-Source-Strom: 1 bis 3 mA Gehäuse: TO-92 Verlustleitung (bei 25°C): 0,74 W RoHS konform (RoHS compliant)
  • 4,29 € AUF AMAZON
HUABAN
HUABAN
HUABAN 10 Stücke 4N65 650V 4A TO-220F N-CHANNEL MOSFET Transistor
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69

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#10

  • N-Channel MOSFET Transistor
  • Part Number: 4N65 ;Package: TO-220F
  • Vdss=650V;Id=4A
  • Package Quantity: 10 Stücke
  • 10,00 € AUF AMAZON
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